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基本信息

1. 化學(xué)名稱(chēng)

• 中文名：四(二甲氨基)鋯、二甲基銨鋯124

• 英文名：Tetrakis(dimethylamino)zirconium(IV) 或 Zirconium tetrakis(dimethylamide)46

• CAS號(hào)：19756-04-8126

2. 分子式與結(jié)構(gòu)

• 分子式：C8H24N4Zr16

• 結(jié)構(gòu)式：四個(gè)二甲氨基（(CH3)2N-）配體與鋯中心離子（Zr??）配位46。

物理化學(xué)性質(zhì)

1. 物性參數(shù)

• 熔點(diǎn)：57-60°C34

• 沸點(diǎn)：80°C（0.1 mmHg條件下）34

• 密度：未明確，但通常呈固態(tài)4。

• 敏感性：對(duì)濕氣和水分高度敏感，需在無(wú)水環(huán)境中儲(chǔ)存49。

2. 計(jì)算化學(xué)數(shù)據(jù)

• 疏水參數(shù)（XlogP）：無(wú)4

• 氫鍵供體/受體數(shù)量：0供體、4受體4

• 拓?fù)錁O性表面積：4 ?24。

安全與儲(chǔ)存

1. 危險(xiǎn)特性

• 遇水反應(yīng)釋放易燃?xì)怏w（H261）49，可能引發(fā)皮膚/眼睛刺激（H315/H319）9。

• 安全操作：需佩戴防護(hù)裝備（防塵面具、手套），在惰性氣體（如氬氣）環(huán)境下操作49。

2. 儲(chǔ)存條件

• 密封存放于陰涼干燥處，避免與濕氣接觸46。

應(yīng)用領(lǐng)域

1. 電子材料

• 用于化學(xué)氣相沉積（CVD）或原子層沉積（ALD）工藝，制備高質(zhì)量鋯基薄膜（如介電層）569。

2. 催化領(lǐng)域

• 作為有機(jī)合成或聚合反應(yīng)的催化劑前體56。